IRF7580MTRPBF, Trans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048070384
- Артикул
- IRF7580MTRPBF
- Бренд
- International Rectifier
- PPAP
- No
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
- Pin Count
- 10
Цена по запросу
(от 375 ₽)
Минимальный заказ: 203 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 60V 114A с 10-контактным контактом прямого ввода-вывода ME T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 10 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 10 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quad Drain Quint Source |
| Package Width | 5.05(Max)mm |
| Package Length | 5.45(Max)mm |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | Direct-FET ME |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Process Technology | DirectFET |
| Структура | N-Channel |
| Typical Fall Time (ns) | 21 |
| Typical Rise Time (ns) | 38 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 96000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 120 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 120@10V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 20 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 53 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 36 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3.7 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 114 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 6510@25V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 3.6@10V |
| Maximum Gate-Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Typical Drain-Source Resistance @ 25°C (mOhm) | 2.9@10V|3.5@6V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 114 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | - |