Моя заявка (0)

IRF7580MTRPBF, Trans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME T/R

IRF7580MTRPBF, Trans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048070384
Артикул
IRF7580MTRPBF
Бренд
International Rectifier
PPAP
No
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
10
Цена по запросу
(от 375 ₽)
Минимальный заказ: 203 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 60V 114A с 10-контактным контактом прямого ввода-вывода ME T/R

Технические параметры

PPAPNo
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count10
AutomotiveNo
Вес, г1
PCB changed10
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle Quad Drain Quint Source
Package Width5.05(Max)mm
Package Length5.45(Max)mm
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageDirect-FET ME
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologyDirectFET
СтруктураN-Channel
Typical Fall Time (ns)21
Typical Rise Time (ns)38
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)96000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)120
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)120@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)20
Maximum Drain-Source Voltage (V)60
Typical Turn-Off Delay Time (ns)53
Typical Gate to Drain Charge (nC)36
Maximum Gate Threshold Voltage (V)3.7
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)114
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)6510@25V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)3.6@10V
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)100
Typical Drain-Source Resistance @ 25°C (mOhm)2.9@10V|3.5@6V
Пороговое напряжение на затворе2.3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А114
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)-

Техническая документация