Транзисторная сборка FET, MOSFET IRF7530TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062727588
- Артикул
- IRF7530TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 3mm
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 360 ₽)
Минимальный заказ: 170 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор MOSFT DUAL NCh 20V 5.4A Micro 8
Технические параметры
| Width | 3mm |
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 3 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | MSOP |
| Высота | 1.11 mm |
| Ширина | 3 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 16 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 1.3 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 18 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | Micro-8 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.6V |
| Qg - заряд затвора | 18 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 30 mΩ |
| Время нарастания | 11 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.4 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.3 W |
| Другие названия товара № | SP001572074 |
| Id - непрерывный ток утечки | 5.4 A |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 45 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 36 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8.5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 13 S |