IRF7509TRPBF, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062694371
- Артикул
- IRF7509TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 3mm
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 80 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IRF7509TRPBF Infineon Technologies Транзистор
Технические параметры
| Width | 3mm |
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Package Type | MSOP |
| Корпус | Micro8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N/P-канал |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V, 7.8 nC @ 10 V |
| Температура, С | -55...+150 |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 110 mΩ, 200 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 2 A, 2.7 A |
| Крутизна характеристики S,А/В | 1.9 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30/-30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.7/-2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.25 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 110/200 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 1 |