HEXFET Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 5.4 A, 100 V, 8-Pin SO-8 IRF7490TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8019842726
- Артикул
- IRF7490TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 239,29 ₽)
Минимальный заказ: 15 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS разработаны с целью повышения эффективности, удельной мощности и экономичности.
Технические параметры
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SO-8 |
| Корпус | SO-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 20V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.039 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.4 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.033 Ом |