Моя заявка (0)

IRF7483MTRPBF, IRF7483MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 40V 135A 8-Pin Direct-FET MF T/R Si - Arrow.com

IRF7483MTRPBF, IRF7483MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 40V 135A 8-Pin Direct-FET MF T/R Si - Arrow.com

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002245283
Артикул
IRF7483MTRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
PPAP
No
Category
Power MOSFET
Material
Si
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 296 ₽)
Минимальный заказ: 257 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IRF7483MTRPBF Infineon Technologies AG Транзисторы MOSFETs N-CH Si 40V 135A 8-контактный MF T/R Si с прямым выводом - Arrow.com

Технические параметры

PPAPNo
CategoryPower MOSFET
MaterialSi
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Вес, г1
PCB changed8
Part StatusObsolete
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Package Width5.05(Max)
Package Length5.45(Max)
Supplier PackageDirect-FET MF
Maximum IDSS (uA)1
СтруктураN
Typical Fall Time (ns)25
Typical Rise Time (ns)53
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)74000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)81
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)81@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)15
Maximum Drain-Source Voltage (V)40
Typical Turn-Off Delay Time (ns)39
Maximum Gate Threshold Voltage (V)3.9
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)3913@25V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)2.3@10V
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)100
Typical Drain-Source Resistance @ 25°C (mOhm)1.7@10V, 3.4@6V
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А135

Техническая документация