HEXFET Dual Silicon N-Channel MOSFET, 3.6 A, 150 V, 8-Pin SO-8 IRF7465TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034105922
- Артикул
- IRF7465TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 1
- Корпус
- SO-8
- Структура
- N-Channel
- Transistor Polarity
- N Channel
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRF7465TRPBF производства INFINEON – это высококачественный компонент для современной электроники. Модель обеспечивает ток стока до 1,9 А и поддерживает напряжение сток-исток до 150 В, что делает его надежным выбором для различных схем. При этом мощность устройства составляет 2,5 Вт. Транзистор выполнен в виде N-MOSFET, что гарантирует высокую скорость переключения и эффективность работы. Корпус SO8 удобен для монтажа поверхностного типа (SMD), что позволяет легко интегрировать его в печатные платы различных устройств. Использование модели IRF7465TRPBF позволит повысить надежность и производительность вашей электронной продукции. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 1.9 Напряжение сток-исток, В 150 Мощность, Вт 2.5 Корпус SO8
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Корпус | SO-8 |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 5.5V @ 250uA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 280mО© @ 1.14A,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 2.5W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 150V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 1.9A |
| Крутизна характеристики, S | 0.75 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30В |