IRF7413PBF, Транзистор, N-канал 30В 13А, [SO-8]
![IRF7413PBF, Транзистор, N-канал 30В 13А, [SO-8]](https://static.epl-electro.ru/lib/668/DOC034668518.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8010523141
- Артикул
- IRF7413PBF
- Бренд
- International Rectifier
- Family
- FETs-Single
- Series
- HEXFET®
- Category
- Discrete Semiconductor Products
- FET Type
- MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Цена по запросу
(от 86 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 30V 13A 8-контактный SOIC T/R - Bulk (Alt: IRF7413TRPBF)
Технические параметры
| Family | FETs-Single |
| Series | HEXFET® |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Вес, г | 0.15 |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Other Names | *IRF7413TRPBFIRF7413PBFCT |
| Power - Max | 2.5W |
| Корпус | SO-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Online Catalog | N-Channel Logic Level Gate FETs |
| Package / Case | 8-SOIC(0.154", 3.90mm Width) |
| Design Resources | IRF7413TRPBF Saber ModelIRF7413TRPBF Spice Model |
| Standard Package | 1 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| PCN Assembly/Origin | Alternate Assembly Site 15/Apr/2014 |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 79nC @ 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 7.3A, 10V |
| Особенности | - |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Product Training Modules | High Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers)Discrete Power MOSFETs 40V and Below |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A(Ta) |
| Крутизна характеристики, S | 16 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |