IRF7410TRPBF, IRF7410 Type P-Channel MOSFET, 13 A, -12 V, 8-Pin SO-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8057891560
- Артикул
- IRF7410TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon/IR
- Brand:
- Infineon Technologies
- Тип
- MOSFET
- Packaging
- Cut Tape or Reel
Цена по запросу
(от 210 ₽)
Минимальный заказ: 4000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -12В, -16А, 2,5Вт, SO8
Технические параметры
| Brand | Infineon/IR |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Тип | MOSFET |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | Infineon |
| Product Type | MOSFET |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SO-8 |
| Part # Aliases | SP001559852 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Part # Aliases: | IRF7410TRPBF SP001559852 |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 91 nC |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Упаковка | REEL, 4000 шт. |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 91 nC |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 4000 |
| Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Id - Continuous Drain Current | 16 A |
| Id - Continuous Drain Current: | 16 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Тип проводимости | P |
| кол-во в упаковке | 4000 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 7 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 12 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Крутизна характеристики, S | 55 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 62*46*55/2000 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8В |