IRF7401PBF, Транзистор, N-канал 20В 8.7А [SO-8]

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара: 8010446360
Артикул: IRF7401PBF
Бренд: International Rectifier
Military: No
Packaging: Tape and Reel
Pin Count: 8
Automotive: No

Цена по запросу

(от 98 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, N-канальный, 20 В, 8,7 А, SOIC; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id:8,7 А; Напряжение источника стока Vds: 20 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,022 Ом; Испытательное напряжение Rds(on) Vgs:4,5 В; Пороговое напряжение Vgs: 700 мВ; Рассеиваемая мощность Pd: 2,5 Вт; Тип корпуса транзистора: SOIC; Количество контактов: 8; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: Серия HEXFET; Автомобильный квалификационный стандарт: -; MSL: MSL 1 - неограниченный; SVHC: Без SVHC (27 июня 2018 г.)

Технические параметры

Military	No
Packaging	Tape and Reel
Pin Count	8
Automotive	No
Вес, г	0.16
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Корпус	SO-8
Supplier Package	SOIC
Process Technology	HEXFET
Структура	N-Channel
Standard Package Name	SOP
Особенности	-
Number of Elements per Chip	1
Operating Temperature - (??C)	-55~150
Maximum Power Dissipation - (mW)	2500
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)	48(Max)@4.5V
Maximum Gate Source Voltage - (V)	??12
Typical Output Capacitance - (pF)	690
Maximum Drain Source Voltage - (V)	20
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)	0.7(Min)
Maximum Continuous Drain Current - (A)	8.7
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)	1600@15V
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)	22@4.5V
Крутизна характеристики, S	11
Пороговое напряжение на затворе	-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	8.7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±12В

Техническая документация

IRF7401 Datasheetpdf, 118 КБ