IRF7389PBF, Транзистор HEXFET N/P-каналы 30В 7.3А/5.3А [SOIC-8.][EOL]
![IRF7389PBF, Транзистор HEXFET N/P-каналы 30В 7.3А/5.3А [SOIC-8.][EOL]](https://static.epl-electro.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 1546741521
- Артикул
- IRF7389PBF
- Бренд
- International Rectifier
- Вес, г
- 0.15
- Корпус
- SOIC-8
- Структура
- N-Channel, P-Channel
- Особенности
- комплементарная пара транзисторов
Цена по запросу
(от 190 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ДВУХКАНАЛЬНЫЙ N/P MOSFET, 30 В, SOIC, Полярность транзистора: N и P каналы, Постоянный ток стока Id: 7,3 А, Напряжение источника стока Vds: 30 В, Сопротивление Rds(включено): 0,023 Ом, Тестовое напряжение Rds (включено) Vgs: 10 В, Пороговое напряжение Vgs:1 В, Соответствие требованиям RoHS: Да
Технические параметры
| Вес, г | 0.15 |
| Корпус | SOIC-8 |
| Структура | N-Channel, P-Channel |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Крутизна характеристики, S | 14/7.7 |
| Пороговое напряжение на затворе | -1/1 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.3/5.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.029 Ом/5.8А, 10В/0.058 Ом/4.9А, 10В |