IRF7380TRPBF, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 80В, 3,6А, 2Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024644382
- Артикул
- IRF7380TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 0.43
- Длина
- 4.9 mm
- FET Feature
- Logic Level Gate
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRF7380TRPBF производства INFINEON выделяется своими компактными размерами и возможностью монтажа на поверхность (SMD). С током стока 3,6 А и напряжением сток-исток 80 В, этот компонент способен обеспечить мощность до 2 Вт. Вид транзистора - N-MOSFET, что делает его оптимальным выбором для широкого спектра электронных применений. Устройство упаковано в надежный и прочный корпус SO8, который обеспечивает удобство в интеграции на печатную плату. Используя IRF7380TRPBF в вашем проекте, вы получаете надежность и производительность от известного производителя полупроводниковых компонентов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 3.6 Напряжение сток-исток, В 80 Мощность, Вт 2 Корпус SO8
Технические параметры
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.43 |
| Длина | 4.9 mm |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Power - Max | 2W |
| Высота | 1.75 mm |
| Ширина | 3.9 mm |
| Configuration | 2 N-Channel(Dual) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC(0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 17 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 73mOhm @ 2.2A, 10V |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Qg - заряд затвора | 15 nC |
| Время нарастания | 10 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Другие названия товара № | SP001574936 |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.6 A |
| Крутизна характеристики, S | 4.3 S |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 73 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 41 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.6 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 4.3 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |