IRF7351TRPBF, Транзистор 2N-MOSFET 60В 8А 2Вт [SOIC-8.]
![IRF7351TRPBF, Транзистор 2N-MOSFET 60В 8А 2Вт [SOIC-8.]](https://static.epl-electro.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000547574
- Артикул
- IRF7351TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.15
- Корпус
- SOIC-8
- Структура
- 2 N-Channel
- Особенности
- полевая сборка
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRF7351TRPBF от известного производителя INFINEON - это высококачественный компонент для современной электроники. Благодаря монтажу в формате SMD, данный транзистор идеально подходит для поверхностного монтажа на печатные платы. С током стока до 8 А и напряжением сток-исток в 60 В, он обеспечивает надежную работу в широком диапазоне электрических цепей. Мощность транзистора составляет 2 Вт, что делает его достаточно мощным для большинства задач. Тип N-MOSFET указывает на использование N-канального металлооксидного полевого транзистора, что является стандартом в промышленности для высокоэффективных переключающих устройств. Корпус SO8 обеспечивает компактность и экономию пространства на плате. Покупая IRF7351TRPBF, вы получаете надежный компонент для ваших электронных проектов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 8 Напряжение сток-исток, В 60 Мощность, Вт 2 Корпус SO8
Технические параметры
| Вес, г | 0.15 |
| Корпус | SOIC-8 |
| Структура | 2 N-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Крутизна характеристики, S | 18 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0178 Ом/8А, 10В |