IRF7351TRPBF, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 60В, 8А, 2Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070152542
- Артикул
- IRF7351TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Тип
- MOSFET
- Вес, г
- 0.28
- Упаковка
- REEL, 4000 шт.
- Transistor Polarity
- 2 N Channel(Double)
Цена по запросу
(от 159,95 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, ДВОЙНОЙ N-канальный транзистор, 60 В, 8 А, SOIC-8, Полярность транзистора: Двуxканальный N-канальный, Постоянный ток стока Id:8 А, Напряжение источника стока Vds: 60 В, Сопротивление Rds(включено): 0,0137 Ом, Тестовое напряжение Rds(включено) Vgs:10 В, Пороговое напряжение Vgs:4 В, Мощность, соответствует RoHS: Да
Технические параметры
| Тип | MOSFET |
| Вес, г | 0.28 |
| Упаковка | REEL, 4000 шт. |
| Transistor Polarity | 2 N Channel(Double) |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 50uA |
| Температура, С | -55…+150 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Тип проводимости | 2N |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 17.8mО© @ 8A,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 2W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 8A |
| Крутизна характеристики S,А/В | 18 |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*50*50/2000 |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 17.8 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |