IRF7343TRPBF, Транзистор N/P-MOSFET 55В 4.7/3.4A 2Вт 0.05/0.105Ом [SOIC-8.]
![IRF7343TRPBF, Транзистор N/P-MOSFET 55В 4.7/3.4A 2Вт 0.05/0.105Ом [SOIC-8.]](https://static.epl-electro.ru/lib/642/DOC001642669.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000072123
- Артикул
- IRF7343TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.15
- Корпус
- SOIC-8
- Структура
- N-Channel, P-Channel
- Особенности
- полевая сборка
Цена по запросу
(от 59,40 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ДВУХКАНАЛЬНЫЙ N/P MOSFET, 55 В, SOIC, ПОЛНАЯ КАТУШКА, Полярность транзистора: N и P каналы, Постоянный ток стока Id: 4,7 А, Напряжение источника стока Vds: 55 В, Сопротивление Rds(включено): 0,043 Ом, Тестовое напряжение Rds (включено) Vgs: 10 В, Рассеиваемая мощность Pd: 2 Вт, соответствует RoHS: Да
Технические параметры
| Вес, г | 0.15 |
| Корпус | SOIC-8 |
| Структура | N-Channel, P-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Крутизна характеристики, S | 7.9 |
| Пороговое напряжение на затворе | N:1…3 В; P:-1…-3 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.7/3.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.05 Ом/4.7А, 10В/0.105 Ом/3.4А, 10В |