IRF7342TRPBF, Транзистор 2P-MOSFET 55В 3.4А 2Вт [SOIC-8.]
![IRF7342TRPBF, Транзистор 2P-MOSFET 55В 3.4А 2Вт [SOIC-8.]](https://static.epl-electro.ru/lib/642/DOC001642669.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000039358
- Артикул
- IRF7342TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.15
- Корпус
- SOIC-8
- Структура
- 2 P-Channel
- Особенности
- High Cell Density Trench
Цена по запросу
(от 59,40 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя P-канальные устройства в корпусаx для поверxностного монтажа и в свинцовыx корпусаx и форм-фактораx, которые позволяют решать практически любые задачи по компоновке платы и тепловому оформлению.
Технические параметры
| Вес, г | 0.15 |
| Корпус | SOIC-8 |
| Структура | 2 P-Channel |
| Особенности | High Cell Density Trench |
| Крутизна характеристики, S | 3.3 |
| Пороговое напряжение на затворе | -1 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.105 Ом/3.4А, 10В |