Моя заявка (0)

Транзисторная сборка FET, MOSFET IRF7342TRPBF

Транзисторная сборка FET, MOSFET IRF7342TRPBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061150125
Артикул
IRF7342TRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
I d
3.4 А
Q g
38 нКл
Тип
MOSFET
C вх.
690 пФ
Цена по запросу
(от 77 ₽)
Минимальный заказ: 40 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор P-МОП x2, полевой, -55В, -3,4А, 2Вт, SO8

Технические параметры

I d3.4 А
Q g38 нКл
ТипMOSFET
C вх.690 пФ
Вес, г1
Мощностьрассеиваемая(Pd)-2 Вт
ОписаниеMOSFET MOSFT DUAL PCh-55V 3.4A
УпаковкаREEL, 4000 шт.
Transistor Polarity2 P Channel(Double)
Емкость, пФ690
Напряжениепороговое затвора(Vgs th)-1В
Полярность2 P-Channel(Dual)
Тип монтажаSurface Mount
Vgs - Gate-Source Voltage1V @ 250uA
Температура, С-55…+150
Способ монтажаповерхностный(SMT)
Тип проводимости2P
Rds On - Drain-Source Resistance105mО© @ 3.4A,10V
Заряд затвора, нКл38
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)2W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage55V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C3.4A
Диапазон рабочих температур-55°C~150°C
Крутизна характеристики S,А/В3.3
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А-3, 4
Транспортная упаковка: размер/кол-во57*45*44/4000
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм105
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм105
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В-1

Техническая документация