Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025233947
Артикул
IRF7341TRPBF
Бренд
HXY MOSFET
Вес, г
0.18
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
2W
Особенности
-
Цена по запросу
(от 21,97 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.18
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)2W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)36nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)740pF@25V
Continuous Drain Current (Id)4.7A
Крутизна характеристики, S7.9
Пороговое напряжение на затворе1V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В55
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)50mΩ@10V, 4.7A