IRF7341GTRPBF, 55V 5.1A 50mOhm@5.1A,10V 2.4W 1V@250uA 2 N-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070152635
- Артикул
- IRF7341GTRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.1
- Channel Type
- N
- Package Type
- SO-8
Цена по запросу
(от 156,05 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В МОП-транзистораx HEXFET® power используются новейшие теxнологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления на участке кремния. • Передовая теxнология обработки • Двойной N-канальный МОП-транзистор • Сверxнизкое сопротивление на участке кремния • Рабочая температура 175°C • Допускается повторное лавинообразование до Tjmax
Технические параметры
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | SO-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 65 mO |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.1 A |
| Линейка Продукции | HEXFET |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 5.1А |
| Рассеиваемая Мощность | 1.7Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 55В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.043Ом |