IRF7319TRPBF, Транзистор N/P-МОП, полевой, 30/-30В, 6,5/-4,9А, 2Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070052025
- Артикул
- IRF7319TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- PPAP
- No
- Width
- 4mm
- Series
- HEXFET
- Тип
- MOSFET
Цена по запросу
(от 105,67 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A
Технические параметры
| PPAP | No |
| Width | 4mm |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 4.9 mm |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N|P |
| Package Type | SOIC |
| Высота | 1.75 mm |
| Ширина | 3.9 mm |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOIC |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-2 Вт |
| Описание | MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A |
| Упаковка | REEL, 4000 шт. |
| Process Technology | HEXFET |
| Transistor Material | Si |
| Емкость, пФ | 650 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1В |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SOP |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Typical Fall Time (ns) | 17 N Channel|32 P Channel |
| Typical Rise Time (ns) | 8.9 N Channel|13 P Channel |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 22 nC @ 10 V, 23 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Qg - заряд затвора | 22 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 22 N Channel|23 P Channel |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 22 10V N Channel|23 10V P Channel |
| Maximum Drain Source Resistance | 46 mΩ, 98 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8.1 N Channel|13 P Channel |
| Тип проводимости | N+P |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.9 A, 6.5 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 26 N Channel|34 P Channel |
| Заряд затвора, нКл | 33 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 6.5 N Channel|4.9 P Channel |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 650 25V N Channel|710 25V P Channel |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 29 10V N Channel|58 10V P Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 6.5 A |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 46 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 6.5 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 46 |