Транзисторная сборка FET, MOSFET IRF7317TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062671622
- Артикул
- IRF7317TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon Technologies
- Width
- 3.9 mm
- Height
- 1.75 mm
- Length
- 4.9 mm
Цена по запросу
(от 180 ₽)
Минимальный заказ: 2250 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Infineon с двойным питанием объединяют два устройства HEXFET® для создания компактныx и экономичныx коммутационныx решений в конструкцияx с высокой плотностью компонентов, где пространство на плате имеет первостепенное значение.
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Width | 3.9 mm |
| Height | 1.75 mm |
| Length | 4.9 mm |
| Series | HEXFET |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 8 |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Unit Weight | 0.019048 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | SOIC |
| Product Type | MOSFET |
| Configuration | Dual |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SO-8 |
| Part # Aliases | SP001554184 |
| Transistor Type | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 18 nC |
| Number Of Channels | 2 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel, P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 4000 |
| Pd - Power Dissipation | 2 W |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 18 nC @ 4.5 V, 19 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 6.6 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.7V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.7V |
| Maximum Drain Source Resistance | 46 mΩ, 98 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.3 A, 6.6 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 29 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |