Транзисторная сборка FET, MOSFET IRF7316TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061150124
- Артикул
- IRF7316TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 23 nC
- V(DS)
- 30 V
- Width
- 4mm
- P(tot)
- 2 W
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRF7316TRPBF от производителя INFINEON — это высококачественный компонент для современной электроники. Устройство выполнено в компактном корпусе SO8 и предназначено для монтажа типа SMD, что позволяет использовать его в печатных платах с плотной установкой элементов. Транзистор типа N-MOSFET обеспечивает ток стока до 4,9 А и способен выдерживать напряжение сток-исток до 30 В, при этом мощность рассеивания составляет 2 Вт. Эти параметры делают IRF7316TRPBF незаменимым компонентом в различных электрических цепях, требующих надежности и эффективности. Для заказа исключите любые символы из кода товара, оставив IRF7316TRPBF. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 4.9 Напряжение сток-исток, В 30 Мощность, Вт 2 Корпус SO8
Технические параметры
| Q(g) | 23 nC |
| V(DS) | 30 V |
| Width | 4mm |
| P(tot) | 2 W |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| Package | SO-8 |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | NO |
| Technology | HEXFET |
| Вес, г | 1 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOIC |
| Configuration | DUAL P-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 58 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 4.9 A |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-2 Вт |
| Описание | Mosfet Array 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO |
| Упаковка | REEL, 4000 шт. |
| Transistor Material | Si |
| Емкость, пФ | 710 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1В |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 98 mΩ |
| Тип проводимости | 2P |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.9 A |
| Заряд затвора, нКл | 34 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 4.9 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 58 |