Моя заявка (0)
IRF7311 SO8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8075229460
Артикул
IRF7311
Бренд
International Rectifier
RoHS
Details
Brand
Infineon/IR
Width
3.9 mm
Height
1.75 mm
Цена по запросу
(от 120 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, ДВОЙНОЙ N-канальный, 20 В, 6,6 А, SOIC-8; Полярность транзистора: Двуxканальный N-канальный; Постоянный ток стока Id: 6,6 А; Напряжение источника стока Vds: 20 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,023 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs:4,5 В; Пороговое напряжение Напряжение питания: 700 мВ; Рассеиваемая мощность Pd: 2 Вт; Тип корпуса транзистора: SOIC; Количество контактов: 8; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL: MSL 1 - неограниченный; SVHC: Без SVHC (27 июня 2018 г.)

Технические параметры

RoHSDetails
BrandInfineon/IR
Width3.9 mm
Height1.75 mm
Length4.9 mm
Fall Time31 ns
PackagingReel
Rise Time17 ns
TechnologySi
Вес, г1
Unit Weight0.01787 oz
ManufacturerInfineon
ConfigurationDual
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSO-8
Transistor Type2 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge18 nC
Number of Channels2 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Factory Pack Quantity4000
Pd - Power Dissipation2 W
Vgs - Gate-Source Voltage12 V
Typical Turn-On Delay Time8.1 ns
Typical Turn-Off Delay Time38 ns
Id - Continuous Drain Current6.6 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Forward Transconductance - Min20 S
Rds On - Drain-Source Resistance30 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage0.7 V

Техническая документация