IRF730PBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 400В, 3,5А, 74Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062241187
- Артикул
- IRF730PBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Version
- N channel
- Assembly
- THT
- Enclosure
- TO-220
- Power loss
- 74 W
Цена по запросу
(от 323,29 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 400В, 3,5А, 74Вт, TO220AB
Технические параметры
| Version | N channel |
| Assembly | THT |
| Enclosure | TO-220 |
| Power loss | 74 W |
| Вес, г | 1.97 |
| Серия | IRF |
| Max. current | 5.5 A |
| max. Voltage | 400 V |
| Упаковка | Tube |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 14 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 3.8x10<sup>-8</sup> C |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Температура, С | -55…+150 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 38 nC |
| Время нарастания | 15 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 74 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 5.5 A |
| drain-source on resistance RDS (on) max @VGS=10V | 1 Ω |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Крутизна характеристики S,А/В | 2.9 |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 400 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 38 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.9 S |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 1000 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |