IRF7309TRPBF, Транзистор N/P-МОП, полевой, 30/-30В, 4/-3А, 1,4Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8023130094
- Артикул
- IRF7309TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- PPAP
- No
- Brand
- Infineon
- Series
- HEXFET
- Тип
- MOSFET
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRF7309TRPBF от производителя INFINEON – высококачественный компонент для современной электроники. Монтаж этого транзистора выполнен в формате SMD, что обеспечивает удобство в использовании и позволяет интегрировать его в различные печатные платы. С током стока 4 А и напряжением сток-исток 30 В данный элемент обеспечивает надежную работу в широком диапазоне применений. Мощность транзистора составляет 1,4 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — всего 0,05 Ом, что свидетельствует о его высокой эффективности. Тип N+P-MOSFET указывает на комбинированное применение как N-канального, так и P-канального МОП-транзистора в одном корпусе SO8. Это делает IRF7309TRPBF идеальным выбором для разработки энергоэффективных схем. Код товара для поиска: IRF7309TRPBF. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N+P-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 4 Напряжение сток-исток, В 30 Мощность, Вт 1.4 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.05 Корпус SO8
Технические параметры
| PPAP | No |
| Brand | Infineon |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.12 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N|P |
| Package Type | SOIC |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOIC |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-1.4 Вт |
| Описание | 30V, 3A P-Channel and 4A N-Channel MOSFET |
| Упаковка | REEL, 4000 шт. |
| Process Technology | HEXFET |
| Структура | N/P-МОП |
| Transistor Material | Si |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1В |
| Standard Package Name | SOP |
| Typical Fall Time (ns) | 7.7 N Channel|18 P Channel |
| Typical Rise Time (ns) | 21 N Channel|17 P Channel |
| Особенности | depletion-mode fet |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 1.4 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 25 nC @ 4.5 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1400 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 25(Max)4.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 80 mΩ, 160 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 6.8 N Channel|11 P Channel |
| Тип проводимости | N+P |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A, 4 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 22 N Channel|25 P Channel |
| Заряд затвора, нКл | 25 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 4 N Channel|3 P Channel |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 520 15V N Channel|440 15V P Channel |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 50 10V N Channel|100 10V P Channel |
| Крутизна характеристики, S | 5.2/2.5 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 4/-3 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1.4 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -20 V, +20 V |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 50/100 |