IRF7304TRPBF, Транзисто HEXFET, 2P-канала, 20В, 4.3А, 0.090Ом [SOIC-8.] [EOL]
![IRF7304TRPBF, Транзисто HEXFET, 2P-канала, 20В, 4.3А, 0.090Ом [SOIC-8.] [EOL]](https://static.epl-electro.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000539510
- Артикул
- IRF7304TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.15
- Корпус
- SOIC-8
- Структура
- 2 P-Channel
- Особенности
- автомобильные приложения
Цена по запросу
(от 57 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, ДВОЙНОЙ P-канал, -20 В, -4,3 А, SOIC-8; Полярность транзистора: Двуxканальный P-канал; Постоянный ток стока Id: -4,3 А; Напряжение источника стока Vds: -20 В; Сопротивление включения Rds(вкл.): 0,09 Ом; Тестовое напряжение Rds(вкл.) Vgs: -4,5 В; Пороговое напряжение Vgs: -700 мВ; Рассеиваемая мощность Pd: 2 Вт; Тип корпуса транзистора: SOIC; Количество контактов: 8; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL: MSL 1 - Неограниченный; SVHC: Без SVHC (27 июня-2018)
Технические параметры
| Вес, г | 0.15 |
| Корпус | SOIC-8 |
| Структура | 2 P-Channel |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Крутизна характеристики, S | 4 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.09 Ом/2.2А, 4.5В |