IRF7303TRPBF, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 30В, 4,9А, 2Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030544635
- Артикул
- IRF7303TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 4mm
- Series
- HEXFET
- Тип
- MOSFET
- Version
- N channel
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRF7303TRPBF от ведущего производителя INFINEON представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для использования в современных электронных устройствах. Данный транзистор рассчитан на ток стока до 4,9 А и напряжение сток-исток до 30 В, что обеспечивает его универсальность в различных схемах. Мощность устройства составляет 2 Вт, что позволяет ему работать в условиях средней нагрузки. Монтаж типа SMD и корпус SO8 гарантируют легкость интеграции в поверхностно-монтируемые платы и экономию пространства. Транзистор IRF7303TRPBF является отличным выбором для разработчиков, стремящихся к оптимизации своих электронных проектов. Код продукта для удобства поиска и заказа: IRF7303TRPBF. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 4.9 Напряжение сток-исток, В 30 Мощность, Вт 2 Корпус SO8
Технические параметры
| Width | 4mm |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| Version | N channel |
| Assembly | SMD |
| Enclosure | SO-8 |
| Pin Count | 8 |
| Power loss | 2 W |
| Вес, г | 0.43 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Max. current | 4.9 A |
| Package Type | SOIC |
| max. Voltage | 30 V |
| Корпус | SOIC-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-2 Вт |
| Описание | MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 4.9A |
| Упаковка | REEL, 4000 шт. |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | 2 N Channel(Double) |
| Емкость, пФ | 520 |
| Особенности | - |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 2.5x10<sup>-8</sup> C |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1V @ 250uA |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Температура, С | -55…+150 |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 80 mΩ |
| Тип проводимости | 2N |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.9 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 50mО© @ 2.4A,10V |
| Заряд затвора, нКл | 25 |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 2W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 4.9A |
| drain-source on resistance RDS (on) max @VGS=10V | 0.05 Ω |
| Крутизна характеристики, S | 5.2 |
| drain-source on resistance RDS (on) max @VGS=4,5V | 0.08 Ω |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Крутизна характеристики S,А/В | 5.2 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 4.9 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 50 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 50 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 3 |