IRF7301TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 20В, 5.2А [SOIC-8.]
![IRF7301TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 20В, 5.2А [SOIC-8.]](https://static.epl-electro.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000617720
- Артикул
- IRF7301TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.15
- Корпус
- SOIC-8
- Структура
- 2 N-Channel
- Особенности
- полевая сборка
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRF7301TRPBF производства INFINEON – это высококачественный компонент для современной электроники. Монтаж данной модели осуществляется с использованием SMD-технологии, что обеспечивает удобство в интеграции на печатные платы. Ток стока достигает 5,2 А, что подходит для широкого спектра применений. Напряжение сток-исток составляет 20 В, а мощность — 2 Вт, обеспечивая надёжность в работе устройства. Тип N-MOSFET указывает на использование N-канального металло-оксидного полупроводника, что является стандартом для компонентов подобного класса. Корпус SO8 идеально подходит для компактных схем. При выборе компонента стоит учитывать, что IRF7301TRPBF отличается высокой производительностью и долговечностью. Приобретая этот транзистор, вы получаете надёжный элемент для вашей электронной аппаратуры. Код для поиска на сайте: IRF7301TRPBF. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 5.2 Напряжение сток-исток, В 20 Мощность, Вт 2 Корпус SO8
Технические параметры
| Вес, г | 0.15 |
| Корпус | SOIC-8 |
| Структура | 2 N-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Крутизна характеристики, S | 8.3 |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.7 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.04 Ом/2.6А, 4.5В |