IRF7301PBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 20В, 5.2А [SOIC-8.]
![IRF7301PBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 20В, 5.2А [SOIC-8.]](https://static.epl-electro.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 899516584
- Артикул
- IRF7301PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.15
- Корпус
- SOIC-8
- Структура
- 2 N-Channel
- Особенности
- полевая сборка
Цена по запросу
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-канальный, 20 В, 5,2 А, SOIC-8; Полярность транзистора: Двуxканальный N-канальный; Постоянный ток стока Id: 5,2 А; Напряжение источника стока Vds: 20 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,05 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs:4,5 В; Пороговое напряжение Vgs: 700 мВ; Рассеиваемая мощность Pd:2 Вт; Тип корпуса транзистора: SOIC; Количество контактов: 8; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL: MSL 1 - Неограниченный; SVHC: Без SVHC (27 июня 2018 г.)
Технические параметры
| Вес, г | 0.15 |
| Корпус | SOIC-8 |
| Структура | 2 N-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Крутизна характеристики, S | 8.3 |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.7 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.05 Ом/2.6А, 4.5В |