HEXFET P-Channel MOSFET, 10.5 A, 40 V, 8-Pin SOIC IRF7240TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014724507
- Артикул
- IRF7240TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 4mm
- Series
- HEXFET
- Тип
- MOSFET
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 500 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя P-канальные устройства в корпусаx для поверxностного монтажа и в свинцовыx корпусаx и форм-фактораx, которые позволяют решать практически любые задачи по компоновке платы и тепловому оформлению.
Технические параметры
| Width | 4mm |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOIC |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-2.5 Вт |
| Описание | 40V, 10.5A P-Channel MOSFET |
| Упаковка | REEL, 4000 шт. |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1В |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 73 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 25 mΩ |
| Тип проводимости | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 10.5 A |
| Заряд затвора, нКл | 73 |
| Крутизна характеристики, S | 17 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | -10, 5 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*50*50/1000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 15 |