IRF7105TRPBF, Транзистор N/P-МОП, полевой, HEXFET, 25/-25В, 3,5/-2,3А, 2Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070152638
- Артикул
- IRF7105TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 4mm
- Series
- HEXFET
- Тип
- MOSFET
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 64,08 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Infineon с двойным питанием объединяют два устройства HEXFET® для создания компактныx и экономичныx коммутационныx решений в конструкцияx с высокой плотностью компонентов, где пространство на плате имеет первостепенное значение.
Технические параметры
| Width | 4mm |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| Pin Count | 8 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.12 |
| Power - Max | 2W |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Package Type | SOIC |
| Configuration | N and P-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC(0.154", 3.90mm Width) |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-2 Вт |
| Описание | MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC |
| Упаковка | REEL, 4000 шт. |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Transistor Material | Si |
| Емкость, пФ | 330 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-3В |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 10 nC @ 10 V, 9.4 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 160 mΩ, 400 mΩ |
| Тип проводимости | N+P |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.3 A, 3.5 A |
| Заряд затвора, нКл | 27 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 15V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A, 2.3A |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 3.5 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 100 |