Транзистор, IRF7104TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8057780081
- Артикул
- IRF7104TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 4mm
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 65 ₽)
Минимальный заказ: 16 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 2.3 А, 2 Вт
Технические параметры
| Width | 4mm |
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 4.9 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOIC |
| Высота | 1.75 mm |
| Ширина | 3.9 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Тип транзистора | 2 P-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Qg - заряд затвора | 9.3 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 400 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.3 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Другие названия товара № | SP001564756 |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.3 A |
| Крутизна характеристики, S | 2.5 |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 250 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*50*50/4000 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.19 Ом |