HEXFET Dual P-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V, 8-Pin SOIC IRF7104PBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014488927
- Артикул
- IRF7104PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 4mm
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 320 ₽)
Минимальный заказ: 95 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Infineon с двойным питанием объединяют два устройства HEXFET® для создания компактныx и экономичныx коммутационныx решений в конструкцияx с высокой плотностью компонентов, где пространство на плате имеет первостепенное значение.
Технические параметры
| Width | 4mm |
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOIC |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RoHS Compliant | Yes |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | полевая сборка |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 400 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.3 A |
| Крутизна характеристики, S | 2.5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |