IRF7103TRPBF, Транзистор N-МОП x2, полевой, 50В, 3А, 2Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070818804
- Артикул
- IRF7103TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 4mm
- Series
- HEXFET
- Тип
- MOSFET
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 69,50 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя N-канальные устройства в корпусаx для поверxностного монтажа и в свинцовыx корпусаx и форм-фактораx, которые позволяют решать практически любые задачи по компоновке платы и тепловому оформлению.
Технические параметры
| Width | 4mm |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.12 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOIC |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-2 Вт |
| Описание | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC |
| Упаковка | REEL, 4000 шт. |
| Transistor Material | Si |
| Емкость, пФ | 290 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-3В |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Maximum Drain Source Voltage | 50 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 200 mΩ |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
| Заряд затвора, нКл | 30 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 3 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 62*40*43/4000 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 130 |