Моя заявка (0)

IRF6811STRPBF, Trans MOSFET N-CH Si 25V 19A 6-Pin Direct-FET SQ T/R

IRF6811STRPBF, Trans MOSFET N-CH Si 25V 19A 6-Pin Direct-FET SQ T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8047967604
Артикул
IRF6811STRPBF
Бренд
International Rectifier
PPAP
No
Material
Si
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Цена по запросу
(от 207 ₽)
Минимальный заказ: 367 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзисторный МОП-транзистор N-CH Si 25V 19A с 6-контактным прямым выводом SQ T/R

Технические параметры

PPAPNo
MaterialSi
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count6
AutomotiveNo
Lead ShapeNo Lead
Вес, г1
PCB changed6
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle Quad Drain
Package Width3.95(Max)mm
Package Length3.95(Max)mm
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageDirect-FET SQ
Process TechnologyDirectFET
СтруктураN-Channel
Typical Fall Time (ns)5.5
Typical Rise Time (ns)19
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)2100
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)11@4.5V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±16
Typical Turn-On Delay Time (ns)8.7
Maximum Drain-Source Voltage (V)25
Typical Turn-Off Delay Time (ns)11
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-40
Maximum Continuous Drain Current (A)19
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1590@13V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)3.7@10V
Typical Drain-Source Resistance @ 25°C (mOhm)2.8@10V|4.1@4.5V
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А19
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация