IRF6785MTRPBF, Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8047967602
- Артикул
- IRF6785MTRPBF
- Бренд
- International Rectifier
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Material
- Si
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 350 ₽)
Минимальный заказ: 218 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторный МОП-транзистор N-CH Si 200 В 3,4 А с 7-контактным прямым выводом MZ T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 7 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | No Lead |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 7 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quad Drain Dual Source |
| Package Width | 5.05(Max) |
| Package Length | 5.45(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | Direct-FET MZ |
| Process Technology | DirectFET |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | Direct-FET |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 14 |
| Typical Rise Time (ns) | 8.6 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2800 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 26 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 26@10V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 6.2 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 200 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 7.2 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 3.4 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1500@25V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 100@10V |
| Typical Drain-Source Resistance @ 25°C (mOhm) | 85@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | -4 V, +22 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 57 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 208 mOhms |