HEXFET N-Channel MOSFET, 28 A, 150 V DirectFET ISOMETRIC IRF6775MTRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014558111
- Артикул
- IRF6775MTRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- HEXFET
- Вес, г
- 1
- Длина
- 6.35 mm
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 430 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Одноканальный МОП-транзистор Infineon мощностью 150 В с шестигранной головкой. Этот цифровой МОП-транзистор специально разработан для применения в аудиоусилителяx класса D.
Технические параметры
| Series | HEXFET |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.35 mm |
| Channel Type | N |
| Package Type | DirectFET ISOMETRIC |
| Высота | 0.7 mm |
| Ширина | 5.05 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 15 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | DirectFET-MZ |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Qg - заряд затвора | 25 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.056 Ω |
| Время нарастания | 7.8 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 28 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 89 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 28 A |
| Коммерческое обозначение | DirectFET |
| Размер фабричной упаковки | 4800 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 47 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 5.8 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5.9 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 28 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 89 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.047 Ом |