IRF6727MTRPBF, Транзистор N-MOSFET 30В 32A 89Вт 0.00122Ом [DIRECTFET-MX.]
![IRF6727MTRPBF, Транзистор N-MOSFET 30В 32A 89Вт 0.00122Ом [DIRECTFET-MX.]](https://static.epl-electro.ru/lib/314/DOC005314169.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9001613278
- Артикул
- IRF6727MTRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 1.3
- Структура
- MOSFET
- Крутизна характеристики, S
- 160
- Пороговое напряжение на затворе
- 1.35…2.35
Цена по запросу
(от 226 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-канальный, 30 В, 180 А, DIRECTFET MX, Полярность транзистора: N-канальный, Постоянный ток стока Id:180 А, Напряжение источника стока Vds: 30 В, Сопротивление Rds(включено): 0,00122 Ом, Тестовое напряжение Rds(включено) Vgs:10 В, Пороговое напряжение Vgs:1,8 В, Мощность, соответствующая требованиям RoHS: Да
Технические параметры
| Вес, г | 1.3 |
| Структура | MOSFET |
| Крутизна характеристики, S | 160 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.35…2.35 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 32 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 89 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.00122Ом |