IRF6717MTRPBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, HEXFET, 25В, 38А, 96Вт, DirectFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8067065234
- Артикул
- IRF6717MTRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.25
- Длина
- 6.35 mm
- Package Type
- MG-WDSON-5
- Высота
- 0.7 mm
Цена по запросу
(от 460 ₽)
Минимальный заказ: 4800 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 25V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 46nC
Технические параметры
| Вес, г | 0.25 |
| Длина | 6.35 mm |
| Package Type | MG-WDSON-5 |
| Высота | 0.7 mm |
| Ширина | 5.05 mm |
| Mounting Type | SMD |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | DirectFET-MX |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 46 nC |
| Maximum Continuous Drain Current | 38 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 96 W |
| Другие названия товара № | SP001525458 |
| Id - непрерывный ток утечки | 220 A |
| Коммерческое обозначение | DirectFET |
| Размер фабричной упаковки | 4800 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |