Моя заявка (0)

IRF6668TRPBF, Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

IRF6668TRPBF, Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048070380
Артикул
IRF6668TRPBF
Бренд
International Rectifier
PPAP
No
Material
Si
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Цена по запросу
(от 281 ₽)
Минимальный заказ: 271 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзисторный МОП-транзистор N-CH Si 80V 55A с 7-контактным прямым выводом MZ T/R

Технические параметры

PPAPNo
MaterialSi
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count7
AutomotiveNo
Lead ShapeNo Lead
Вес, г1
PCB changed7
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle Quad Drain Dual Source
Package Width5.05(Max)mm
Package Length5.45(Max)mm
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageDirect-FET MZ
Process TechnologyDirectFET
СтруктураN-Channel
Standard Package NameDirect-FET
Typical Fall Time (ns)23
Typical Rise Time (ns)13
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)2800
Typical Gate Charge @ 10V (nC)22
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)22@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)19
Maximum Drain-Source Voltage (V)80
Typical Turn-Off Delay Time (ns)7.1
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-40
Maximum Continuous Drain Current (A)55
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1320@25V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)15@10V
Typical Drain-Source Resistance @ 25°C (mOhm)12@10V
Пороговое напряжение на затворе-4 V, +22 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А55
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт89
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)208 mOhms

Техническая документация