Моя заявка (0)

IRF6662TRPBF, Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

IRF6662TRPBF, Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002239082
Артикул
IRF6662TRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
1
Структура
N-Channel
Особенности
-
Крутизна характеристики, S
11
Цена по запросу
(от 430 ₽)
Минимальный заказ: 216 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор IRF6662TRPBF — изделие серии IRF666. Характеристики Обозначение: IRF6662TRPBF Категория: Транзисторы / Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) Параметры: полевой MOSFET N-CH 100V 8.3A Масса: 2 г Год выпуска: 2008 Производитель: Infineon Единица измерения: шт

Технические параметры

Вес, г1
СтруктураN-Channel
Особенности-
Крутизна характеристики, S11
Пороговое напряжение на затворе-4 V, +22 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8.3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)208 mOhms

Техническая документация