Моя заявка (0)

IRF6648TRPBF, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 86 A, 0.0055 ohm, DirectFET MN, Surface Mount

IRF6648TRPBF, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 86 A, 0.0055 ohm, DirectFET MN, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8797787237
Артикул
IRF6648TRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
DirectFET, HEXFET
Вес, г
0.1
Длина
6.35 mm
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 377 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 60V 1 N-CH 5.5mOhm DirectFET 36nC

Технические параметры

SeriesDirectFET, HEXFET
Вес, г0.1
Длина6.35 mm
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeDirectFET ISOMETRIC
Высота0.7 mm
Ширина5.05 mm
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Forward Diode Voltage1.3V
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада13 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle Quad Drain Dual Source
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation89 W
Typical Gate Charge @ Vgs36 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon / IR
Упаковка / блокDirectFET-MN
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-40 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage4.9V
Minimum Gate Threshold Voltage3V
Qg - заряд затвора36 nC
Maximum Drain Source Resistance7 mΩ
Время нарастания29 ns
Maximum Continuous Drain Current86 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности89 W
Другие названия товара №SP001570312
Id - непрерывный ток утечки86 A
Коммерческое обозначениеDirectFET
Размер фабричной упаковки4800
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток5.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения28 ns
Типичное время задержки при включении16 ns
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А86
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0055 Ом

Техническая документация