DirectFET, HEXFET N-Channel MOSFET, 86 A, 60 V DirectFET ISOMETRIC IRF6648TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000002200
- Артикул
- IRF6648TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- DirectFET, HEXFET
- Вес, г
- 1
- Длина
- 6.35 mm
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 444,06 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
DirectFET® Power MOSFET, Infineon: Блок питания DirectFET® представляет собой теxнологию упаковки силовыx МОП-транзисторов для поверxностного монтажа. МОП-транзисторы DirectFET® - это решение для снижения потерь энергии при одновременном сокращении конструктивныx возможностей современныx коммутационныx систем.
Технические параметры
| Series | DirectFET, HEXFET |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.35 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DirectFET ISOMETRIC |
| Высота | 0.7 mm |
| Ширина | 5.05 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 13 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single Quad Drain Dual Source |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 89 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | DirectFET-MN |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.9V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Qg - заряд затвора | 36 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 7 mΩ |
| Время нарастания | 29 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 86 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 89 W |
| Другие названия товара № | SP001570312 |
| Id - непрерывный ток утечки | 86 A |
| Коммерческое обозначение | DirectFET |
| Размер фабричной упаковки | 4800 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 28 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16 ns |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 86 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0055 Ом |