HEXFET Type N-Channel MOSFET, 68 A, 80 V WDSON IRF6646TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030973845
- Артикул
- IRF6646TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- null
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 12 ns
- Rise Time:
- 20 ns
Цена по запросу
(от 567,45 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевая теxнология Infineon HEXFET Power MOSFET с усовершенствованной конструкцией DirectFETTM позволяет достичь самого низкого сопротивления при включении в корпусе, который имеет размер SO-8 и всего 0.
Технические параметры
| Type | null |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 12 ns |
| Rise Time: | 20 ns |
| Tradename: | DirectFET |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | MG-WDSON-5 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | SMD |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DirectFET-MN |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 36 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -40℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 2.8W;89W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 89 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 50nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.06nF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 31 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 12A;68A |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4800 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.9V@150uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 9.5mΩ@12A, 10V |