Моя заявка (0)

DirectFET N-Channel MOSFET, 25 A, 100 V DirectFET ISOMETRIC IRF6645TRPBF

DirectFET N-Channel MOSFET, 25 A, 100 V DirectFET ISOMETRIC IRF6645TRPBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014553050
Артикул
IRF6645TRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
DirectFET
Вес, г
1
Channel Type
N
Package Type
DirectFET ISOMETRIC
Цена по запросу
(от 226,98 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой IRF6645TRPBF от производителя INFINEON представляет собой высокоэффективный компонент для современной электроники. Он выполнен в технологии N-MOSFET, что обеспечивает отличные характеристики при работе с током стока 5,7 А и напряжением сток-исток до 100 В. Мощность устройства достигает 42 Вт, что позволяет использовать его в различных сферах применения, от бытовой электроники до индустриальных систем управления. Монтаж данного компонента осуществляется методом SMD, что делает его идеальным выбором для поверхностного монтажа на печатные платы. Корпус DirectFET обеспечивает надежную теплоотдачу и уменьшает сопротивление, что увеличивает эффективность и срок службы транзистора. Продукт соответствует современным стандартам качества и надежности. Ищите этот компонент под кодом IRF6645TRPBF для обеспечения оптимальных характеристик ваших электронных проектов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 5.7 Напряжение сток-исток, В 100 Мощность, Вт 42 Корпус DirectFET

Технические параметры

SeriesDirectFET
Вес, г1
Channel TypeN
Package TypeDirectFET ISOMETRIC
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Gate Threshold Voltage4.9V
Maximum Drain Source Resistance0.035 Ω
Maximum Continuous Drain Current25 A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А25
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.035 Ом

Техническая документация