Моя заявка (0)

IRF6644TRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 100В, 10,3А, 89Вт, DIRectFET

IRF6644TRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 100В, 10,3А, 89Вт, DIRectFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8038437451
Артикул
IRF6644TRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
0.1
Длина
6.35 mm
Channel Type
N
Package Type
SO-8
Цена по запросу
(от 351 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 100V 1 N-CH 10.3mOhm DirectFET 20V 3.7Vgs

Технические параметры

Вес, г0.1
Длина6.35 mm
Channel TypeN
Package TypeSO-8
Высота0.7 mm
Ширина5.05 mm
Mounting TypeThrough Hole
СтруктураN-МОП
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада16 ns
Power Dissipation (Pd)2.8W;89W
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Total Gate Charge (Qg@Vgs)47nC@10V
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокDirectFET-MN
Input Capacitance (Ciss@Vds)2.21nF@25V
Maximum Drain Source Voltage100 V
Continuous Drain Current (Id)10.3A;60A
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора35 nC
Время нарастания26 ns
Maximum Continuous Drain Current10.3 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности89 W
Другие названия товара №SP001563476
Id - непрерывный ток утечки10.3 A
Коммерческое обозначениеDirectFET
Размер фабричной упаковки4800
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток10.3 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Пороговое напряжение на затворе4.8V@150uA
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения34 ns
Типичное время задержки при включении17 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4.8 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А10.3
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.15 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт89
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)13mΩ@10.3A, 10V

Техническая документация