IRF640STRRPBF, MOSFETs N-Chan 200V 18 Amp
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025446261
- Артикул
- IRF640STRRPBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1.44
- Корпус
- D2Pak(TO-263)
- Структура
- N-Channel
- Power Dissipation (Pd)
- 3.1W;130W
Цена по запросу
(от 220 ₽)
Минимальный заказ: 800 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A
Технические параметры
| Вес, г | 1.44 |
| Корпус | D2Pak(TO-263) |
| Структура | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 3.1W;130W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 70nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.3nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 18A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 180mΩ@10V, 11A |