IRF640NSTRLPBF, Транзистор N-MOSFET 200В 18А 150Вт 0.15Ом [D2PAK.]
![IRF640NSTRLPBF, Транзистор N-MOSFET 200В 18А 150Вт 0.15Ом [D2PAK.]](https://static.epl-electro.ru/lib/294/DOC005294585.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000578109
- Артикул
- IRF640NSTRLPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 2.5
- Корпус
- D2PAK(2 Leads+Tab)
- Структура
- N-Channel
- Особенности
- автомобильные приложения
Цена по запросу
(от 95,70 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя N-канальные устройства в корпусаx для поверxностного монтажа и в свинцовыx корпусаx и форм-фактораx, которые позволяют решать практически любые задачи по компоновке платы и тепловому оформлению.
Технические параметры
| Вес, г | 2.5 |
| Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Крутизна характеристики, S | 6.8 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.15 Ом/11А, 10В |