IRF640NSTRLPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 200В, 18А, 150Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061903910
- Артикул
- IRF640NSTRLPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 67 nC
- V(DS)
- 200 V
- Width
- 9.65mm
- P(tot)
- 150 W
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRF640NSTRLPBF от производителя INFINEON – это высококачественный компонент в категории полупроводниковых изделий, предназначенный для монтажа в SMD-технологии. Особенности этого N-MOSFET транзистора включают в себя максимальный ток стока 18 А и напряжение сток-исток до 200 В, что позволяет использовать его в различных электронных устройствах, требующих высокой мощности до 150 Вт. Компактный корпус D2PAK обеспечивает простоту интеграции в печатные платы и отличные тепловые характеристики. Модель IRF640NSTRLPBF отличается долговечностью и надёжностью, что делает её оптимальным выбором для разработчиков электронных систем. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 18 Напряжение сток-исток, В 200 Мощность, Вт 150 Корпус D2PAK
Технические параметры
| Q(g) | 67 nC |
| V(DS) | 200 V |
| Width | 9.65mm |
| P(tot) | 150 W |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| Package | D2PAK |
| R(thJC) | 1 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Technology | HEXFET |
| Вес, г | 1.64 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 150 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 18 A |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-150 Вт |
| Описание | 200V, 18A N-Channel MOSFET |
| Упаковка | REEL, 800 шт. |
| Transistor Material | Si |
| Емкость, пФ | 1160 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-4V @ 250µA |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 150 mΩ |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 18 A |
| Заряд затвора, нКл | 67 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 18 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*50*50/800 |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 150 |