IRF640NPBF-JSM, Транзистор N-MOSFET 200В 18А 104Вт 0.12Ом [TO-220.]
![IRF640NPBF-JSM, Транзистор N-MOSFET 200В 18А 104Вт 0.12Ом [TO-220.]](https://static.epl-electro.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9001815944
- Артикул
- IRF640NPBF-JSM
- Бренд
- JSMicro Semiconductor Co., Ltd
- Вес, г
- 2.5
- Корпус
- TO-220
- Структура
- MOSFET
- Особенности
- High Cell Density Trench
Цена по запросу
(от 49,50 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
200 В 18A 150 Вт 150 Мом при 10 В, 11A 4 В при 250uA 1 шт. канальные МОП-транзисторы TO-220AB ROHS
Технические параметры
| Вес, г | 2.5 |
| Корпус | TO-220 |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | High Cell Density Trench |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 104 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.12Ом |