Транзистор, -55…+175°С, IRF640NPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8057773073
- Артикул
- IRF640NPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 44.7 nC
- V(DS)
- 200 V
- P(tot)
- 150 W
- Series
- HEXFET
Цена по запросу
(от 55 ₽)
Минимальный заказ: 28 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор полевой N-канальный 200В 18А 150Вт, 0.15 Ом
Технические параметры
| Q(g) | 44.7 nC |
| V(DS) | 200 V |
| P(tot) | 150 W |
| Series | HEXFET |
| Тип | МОП-Транзистор, кремниевый, 1 N-канал |
| Package | TO-220 |
| R(thJC) | 1 K/W |
| Version | N channel |
| Assembly | THT |
| Mounting | THT |
| Enclosure | TO-220 |
| Packaging | TUBE |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Power loss | 150 W |
| Technology | HEXFET |
| Вес, г | 3 |
| Заряд | затвора(Qg)-67 нКл |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Max. current | 18 A |
| Package Type | TO-220AB |
| max. Voltage | 200 V |
| Корпус | TO220AB |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Through Hole |
| RDS(on)at 10V | 150 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 18 A |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-130 Вт |
| Описание | 200V, 18A |
| Упаковка | TUBE, 100 шт. |
| Структура | N-канал |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Емкость, пФ | 1160 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2В |
| Особенности | - |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 6.7x10<sup>-8</sup> C |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
| max. operating temperature | 175 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Сопротивление | сток-исток открытого транзистора(Rds)-150 мОм |
| Температура, С | -55...+175 |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 150 mΩ |
| Максимальный ток | Id-максимальный продолжительный, непрерывный ток стока-18 A |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 18 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 150mО© @ 11A,10V |
| Заряд затвора, нКл | 67 |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 150W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 18A |
| Крутизна характеристики, S | 6.8 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Крутизна характеристики S,А/В | 6.8 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 18 |
| Максимально допустимое напряжение | сток-исток(Vds max)-200 В; затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*40*37/3000 |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 150 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 150 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |